تماس
Leave Your Message

سیلیکون

۲۴-۱۲-۲۰۲۵
ویفر سیلیکونی

میکروماشینکاری لیزر سیلیکونی

سیلیکون تک کریستالی، پایه و اساس ICها، CPUها و حسگرهای MEMS رده بالا است. سیلیکون به عنوان یک ماده شکننده، مستعد لب پریدگی و ایجاد میکروترک‌ها تحت تنش ماشینکاری سنتی است. برخلاف حکاکی یون واکنشی عمیق (DRIE) که به ماسک‌های پرهزینه نیاز دارد، فناوری لیزر فمتوثانیه ما بدون ماسک و بسیار انعطاف‌پذیر است.

مزایا

با استفاده از "برش سرد"، ما تنش حرارتی را از بین می‌بریم و بدون آسیب رساندن به ماده، به دقت زیر میکرون دست می‌یابیم. این امر، راهکار ما را برای نمونه‌سازی مبتنی بر سیلیکون، مطالعات امکان‌سنجی و سفارشی‌سازی در مقیاس کوچک ایده‌آل می‌کند.
✅ دقت زیر میکرون: دقت ±1μm با زبری سطح Ra ≤ 0.2μm.
✅ بدون آسیب حرارتی: پردازش غیر تماسی، لبه‌های بدون لب‌پریدگی، بدون ذوب شدن و بدون ترک‌های ریز را تضمین می‌کند.
✅ فرآیند ساده‌شده: عملیات بدون ماسک که به پردازش پس از تولید بسیار کمی نیاز دارد یا اصلاً نیازی به آن نیست.
✅ ظرفیت: از ویفرهایی تا ابعاد ۳۵۰×۳۵۰ میلی‌متر با ضخامت ≤ ۲ میلی‌متر پشتیبانی می‌کند.

سوراخکاری میکرو سیلیکونی

به طور گسترده برای هیت سینک‌های نیمه‌هادی، دریچه‌های MEMS و TSV (از طریق سیلیکون) استفاده می‌شود. ما از سوراخکاری مارپیچی و شکل‌دهی پرتو برای انتقال انرژی کارآمد استفاده می‌کنیم.
کیفیت بالا: دیواره‌های سوراخ تمیز و بدون لایه‌های ذوب شده یا ریخته‌گری مجدد.
نسبت ابعاد بالا: تا ۱:۱۰ برای سوراخ‌های بدون مخروط.
انعطاف‌پذیری: از مخروط‌های مثبت، منفی یا صفر پشتیبانی می‌کند. قابلیت سوراخکاری سوراخ‌های کور، سوراخ‌های سرتاسری و سوراخ‌های شکل‌دار (مثلاً مربعی) را دارد.
تماس با ما
حفاری میکروحفره سیلیکونی با لیزر fs
حفاری میکروحفره سیلیکونی با لیزر fs
01
شکل‌دهی ریزساختار سیلیکونی
شکل‌دهی ریزساختار سیلیکونی
01

شکل‌دهی ریزساختار سیلیکونی

ایده‌آل برای کانال‌های میکروفلوئیدیک، اصلاح سطح، علامت‌های ترازبندی و ویژگی‌های حسگر.
بدون محدودیت جهت‌گیری کریستال: برخلاف اچینگ شیمیایی، لیزر ما ساختارهای پیچیده دوبعدی و سه‌بعدی را صرف نظر از جهت‌گیری کریستال ایجاد می‌کند.
نمونه‌سازی سریع: نیاز به ماسک‌های فوتولیتوگرافی را از بین می‌برد، هزینه‌ها را کاهش می‌دهد و فرآیند توسعه MEMS را ساده می‌کند.
عمق کنترل‌شده: شیارهای صاف (Ra ≤ 0.2μm) را روی سطوح مسطح و منحنی در یک پاس ایجاد می‌کند.
تماس با ما

برش ظریف سیلیکونی

ما برای ویفرهای کوچک و شکل‌های سفارشی، برش "بدون آسیب" ارائه می‌دهیم.
بریدگی بسیار نازک: حداقل عرض بریدگی فقط ۳ میکرومتر.
کیفیت برش: لبه‌های تیز بدون پلیسه، بدون کربنیزاسیون و بدون تغییر رنگ.
مسیرهای چندمنظوره: از خطوط مستقیم و برش منحنی دلخواه پشتیبانی می‌کند.
تماس با ما
لیزر ps (چپ) و لیزر fs (راست) - لیزر فمتوثانیه لبه‌های برش صاف و بدون کربنیزاسیون ارائه می‌دهد
لیزر ps (چپ) و لیزر fs (راست) - لیزر فمتوثانیه لبه‌های برش صاف و بدون کربنیزاسیون ارائه می‌دهد
01

انتها به انتها خدمات

contact us

Start a Conversation

Ready to solve your precision challenges? Fill out the form below and our team will respond within 24 hours.

Contact information

Address

F1-F2, Building 4, Jianfa-Xinmei Industrial Park, No. 21 Gongtang Road, Guangming District, Shenzhen, China.

1647831b1f9f653d5ce88b0294a12170
yx-contact-bg